精品国产鲁一鲁一区二区,亚洲视频在线观看,成人性生交大片免费看中文,2022最新韩国理伦片在线观看

技術(shù)文章

TECHNICAL ARTICLES

當前位置:首頁技術(shù)文章應用分享|少子壽命測試儀(MDP)針對碳化硅器件性能優(yōu)化的關(guān)鍵作用

應用分享|少子壽命測試儀(MDP)針對碳化硅器件性能優(yōu)化的關(guān)鍵作用

更新時間:2024-10-30點擊次數(shù):495

 

 

 

1

應用背景

 

 

 

 

在微電子半導體行業(yè)日新月異的現(xiàn)狀,材料質(zhì)量的提升與器件性能的優(yōu)化成為推動技術(shù)進步的關(guān)鍵因素。碳化硅(SiC)作為一種新興的高性能半導體材料,以其優(yōu)異的導熱性、高擊穿電場強度及耐高溫特性,在電力電子、新能源汽車、航天航空等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而,碳化硅器件的性能優(yōu)化并非易事,其涉及到材料質(zhì)量、加工工藝、器件設(shè)計等多個層面的精細控制。在這個過程中,少數(shù)載流子壽命(少子壽命)作為評價半導體材料質(zhì)量的重要參數(shù)之一,其精確測量與深度分析顯得尤為重要。

 

 

 

2

儀器介紹

 

 

 

 

德國弗萊貝格儀器有限公司(Freiberg Instruments),作為一家快速、無損電氣表征工具供應商,始終致力于技術(shù)創(chuàng)新與品質(zhì)優(yōu)異。其MDP(微波檢測光電導性)少子壽命測試儀,作為行業(yè)內(nèi)前端的分析設(shè)備,以其非接觸、無損、高靈敏度的特性,在碳化硅器件性能優(yōu)化中發(fā)揮著不可替代的關(guān)鍵作用。本文旨在探討MDP少子壽命測試儀在碳化硅器件性能優(yōu)化中的重要作用,德國弗萊貝格儀器公司共同推動半導體技術(shù)的進步與發(fā)展。

 

 

 

3

應用分享

 

 

 

碳化硅器件性能優(yōu)化:結(jié)合少子壽命檢測結(jié)果,可以指導SiC器件的設(shè)計和制造過程,優(yōu)化器件性能,提高成品率和可靠性。

 在超高壓工作條件下前景廣闊的雙極型SiC器件中,載流子壽命是影響器件性能的一個重要參數(shù)。表面復合是載流子壽命的限制因素之一,器件的設(shè)計和制造工藝的開發(fā)需要表面復合速度的定量值。

然而,在雙極SiC器件的開發(fā)中,有幾個困難需要克服,例如抑制退化和改進pn結(jié)的制造技術(shù)。其中一個重要的困難是控制載流子壽命。載流子壽命直接影響電導率調(diào)制行為;因此,器件的導通電阻和開關(guān)損耗取決于載流子壽命。

通過少子壽命值,確定了4H-SiC的Si面和C面的表面復合速度(S)及其溫度依賴性,研究者相信對表面復合速度定量值的全方面調(diào)查和討論將支持未來雙極SiC器件設(shè)計和開發(fā)的改進3。 

隨著SiC型IGBT的耐壓越來越高,要求少子壽命足夠高,以進行有效的電導調(diào)制,從而降低器件的正向?qū)▔航岛蛯娮?,但是同時也追求更高的開關(guān)速度,即希望反向恢復時間越短越好,這又要求少子壽命足夠低。如何在低的正向?qū)▔航岛偷偷拈_關(guān)損耗之間進行折衷,是IGBT設(shè)計的關(guān)鍵。 

通過選擇合適的緩沖層厚度,通過局部控制器件漂移區(qū)和緩沖層的壽命,進行4H-SiC型n-IGBT功耗的優(yōu)化。

4H-SiC n-IGBT正向?qū)▔航岛完P(guān)斷損耗的權(quán)衡曲線

 

在權(quán)衡曲線圖中,位于左上角的點所對應的壽命參數(shù)雖然正向?qū)▔航岛艿?,但是于關(guān)斷損耗過大,不符合優(yōu)化的條件;而位于右下角的點正向?qū)▔航岛芨?,即使損耗很低,也不是選擇的合理參數(shù)。因此結(jié)果選擇的壽命參數(shù)為:漂移區(qū)少子壽命為8μs,緩沖層少子壽命為0.08~0.1μs,作為器件選擇的合理參數(shù)。

 

未完待續(xù)~

參考文獻:

[1] Murata, K. , et al. "Carrier lifetime control by intentional boron doping in aluminum doped p-type 4H-SiC epilayers." Journal of Applied Physics 129.2(2021):025702-.

[2] Tawara, Takeshi, et al. "Evaluation of Free Carrier Lifetime and Deep Levels of the Thick 4H-SiC Epilayers." Materials Science Forum (2004).

[3] Kato, Masashi, et al. "Surface recombination velocities for 4H-SiC: Temperature dependence and difference in conductivity type at several crystal faces." Journal of Applied Physics 127.19(2020):195702.

[4] Hahn, S. , et al. "Contact-less Electrical Defect Characterization of Semi-insulating 6H-SiC Bulk Material." International conference on silicon carbide and related materials; ICSCRM 2007 2009.

[5] Berger, Bastian , et al. "Contactless electrical defect characterization in semiconductors by microwave detected photo induced current transient spectroscopy (MD‐PICTS) and microwave detected photoconductivity (MDP)." Physica Status Solidi 208.4(2011):769-776.

[6] Hemmingsson, C. G, N. T. Son , and Janzén, E. "Observation of negative-U centers in 6H silicon carbide." Applied Physics Letters 74.6(1999):839-841.

[7] Suttrop, W., G. Pensl , and  P. Lanig . "Boron-related deep centers in 6H-SiC." Applied Physics A 51.3(1990):231-237.

 

掃一掃,關(guān)注公眾號

服務電話:

021-34685181 上海市松江區(qū)千帆路288弄G60科創(chuàng)云廊3號樓602室 wei.zhu@shuyunsh.com
Copyright © 2025束蘊儀器(上海)有限公司 All Rights Reserved  備案號:滬ICP備17028678號-2
欧美一区二区三区| 邻居少妇太爽了a片在线观看动漫| 狠狠久久精品中文字幕无码| 厨房玩弄丝袜人妻系列国产电影| 欧美成人猛片AAAAAAA| 精品人妻av无码一区二区三区| 久久久婷婷五月亚洲97号色| 久久精品国产www456c0m| 精品国产乱码久久久久久人妻 | 无码人妻精品一区二区三区蜜桃| 国内精品久久久久久久小说| 美女露出奶头扒开尿口| 少妇人妻丰满做爰xxx| 久久久久亚洲av无码| 内射毛片内射国产夫妻| 国产下药迷倒白嫩美女| 国产99视频精品免视看9| 国产中文字幕| 人人妻人人澡人人爽欧美精品| 国产亚洲精品资源在线26U| 一本一道久久综合狠狠老| 脱岳裙子从后面挺进去视频| 国产精品第一区揄拍无码| 成人激情五月天| 国产精品无码免费专区午夜| 在线视频免费观看| 囯产精品久久久久久久久蜜桃| 7777久久亚洲中文字幕| 亚洲av无码专区亚洲av桃| 久久精品国产亚洲av蜜臀色欲| 最近免费中文字幕大全高清10| 亚洲国产精华液2020| 国产无线乱码一区二三区 | 99久久99久久精品免费看蜜桃| 久久丫精品国产亚洲av不卡| 久久精品国产一区二区电影 | 久久精品亚洲av无码四区毛片| 亚洲男同gv片在线观看| 国产免费av片无码永久免费| 欧美精品一区二区| 99精品久久久久久久婷婷|